中国科学院微电子研究所曹磊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种互补场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195870.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种互补场效应晶体管的制造方法是由曹磊;殷华湘;张青竹;姚佳欣设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种互补场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种互补场效应晶体管的制造方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成纳米线堆叠结构，纳米线堆叠结构包括位于中间隔离层之下的底部结构和位于中间隔离层之上的顶部结构；在底部结构两侧形成底部源极和底部漏极；在顶部结构两侧形成顶部源极和顶部漏极；先去除底部结构中的第一半导体层，在形成的多个底部待填充缝隙中形成底部栅极；再去除顶部结构中的第一半导体层，在形成的多个顶部待填充缝隙中形成顶部栅极，即进行顶部结构和底部结构的沟道分步释放，以方便顶部结构的功函数层形成和底部结构的功函数层形成互不影响，从而避免沟道界面问题，提高制造得到的互补场效应晶体管的性能。
本发明授权一种互补场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种互补场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成纳米线堆叠结构，所述纳米线堆叠结构包括位于中间隔离层之下的底部结构和位于所述中间隔离层之上的顶部结构，所述顶部结构和所述底部结构由第一半导体层和第二半导体层交替层叠构成； 在所述底部结构两侧形成底部源极和底部漏极；在所述顶部结构两侧形成顶部源极和顶部漏极；去除所述底部结构中的第一半导体层，在形成的多个底部待填充缝隙中形成底部栅极； 去除所述顶部结构中的第一半导体层，在形成的多个顶部待填充缝隙中形成顶部栅极； 在所述顶部结构的侧壁上形成释放保护层； 所述去除所述底部结构中的第一半导体层，在形成的多个底部待填充缝隙中形成底部栅极包括： 以所述释放保护层为掩蔽去除所述底部结构的所述第一半导体层，形成多个底部待填充缝隙，在多个所述底部待填充缝隙中形成底部栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励