南京理工大学张宏超获国家专利权
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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120101987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510262446.X，技术领域涉及：G01L1/24；该发明授权一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统及方法是由张宏超;马浩冬;陆健设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统及方法，包括探测光光源、反射镜、扩束镜、准直镜、起偏器、第一凸透镜、硅片样品夹持平台、第二凸透镜、涡旋波片、检偏器、第三凸透镜、CCD、PC机；所述探测光光源输出的激光经过扩束准直后通过起偏器成为线偏振光，经凸透镜汇聚于硅片样品夹持平台中所夹持硅片样品处，透射样品后经第二凸透镜转化为平行光垂直入射涡旋波片，再通过检偏器和第三凸透镜成像于后方放置的CCD中，所得数据传输到PC机内，使用偏振成像算法进行处理得到相位差图像，获取其内部应力情况。本申请利用涡旋波片获取硅片内部偏振信息，实时检测硅片内部应力变化情况，测量过程中无需人工操作，测量精度高，操作简单。
本发明授权一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于涡旋波片的硅片应力动态检测系统，其特征在于， 在所述检测系统中放入硅片样品，探测光光源1发出的激光经过反射镜2反射进入共第一光轴，经过扩束镜3、准直镜4调整光束大小，后通过起偏器5后变为线偏振光，经第一凸透镜6汇聚于硅片样品夹持平台7中的夹持所述硅片样品处，透射所述硅片样品后经第二凸透镜8转化为平行光垂直入射涡旋波片9，再通过检偏器10和第三凸透镜11成像于后方放置的CCD12中，将所得数据传输到PC机13内，所述PC机13使用偏振成像算法进行处理得到相位差图像，获取其内部应力情况； 所述共第一光轴依次由所述扩束镜3、所述准直镜4、所述起偏器5、所述第一凸透镜6、所述硅片样品夹持平台7、所述第二凸透镜8、所述涡旋波片9、所述检偏器10、所述第三凸透镜11、所述CCD12构成。
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