买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东南大学申请的专利集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120110545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510186465.9，技术领域涉及：H04B10/90；该发明授权集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列是由严厚意;魏来;郭开喆;赵涤燹设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列，包括：顶部信号源矩阵，K个中间信号源矩阵和底部信号源矩阵，其中，；所述顶部信号源矩阵、K个中间信号源矩阵和底部信号源矩阵依次串联。本发明提供的集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列，旨在解决多单元信号源阵列所带来的问题，通过创新的布局设计和无损耗供电方案，克服现有技术中多单元信号源阵列设计面临的布阵紧凑性和供电效率难题，进一步提高系统的整体性能和可靠性。

本发明授权集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列在权利要求书中公布了：1.一种集成多功能片上天线的CMOS太赫兹信号源阵列，其特征在于：包括：顶部信号源矩阵，K个中间信号源矩阵和底部信号源矩阵，其中，； 所述顶部信号源矩阵、K个中间信号源矩阵和底部信号源矩阵依次串联； 所述顶部信号源矩阵，包括呈排列的信号源单元，其中，，顶部信号源矩阵的第1行的N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，顶部信号源矩阵的第2行的第1个信号源单元到第个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，第个信号源单元到第N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，其中，第个信号源单元的一端作为第一端口，第个信号源单元的一端作为第二端口；顶部信号源矩阵的第1行的第1个信号源单元与顶部信号源矩阵的第2行的第1个信号源单元通过U型耦合网络相连接，顶部信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元与顶部信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元通过U型耦合网络相连接； 所述中间信号源矩阵，包括呈排列的信号源单元，中间信号源矩阵的第1行的第1个信号源单元到第个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，第个信号源单元到第N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，其中，第个信号源单元的一端作为第一端口，第个信号源单元的一端作为第二端口；中间信号源矩阵的第2行的第1个信号源单元到第个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，第个信号源单元到第N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，其中，第个信号源单元的一端作为第三端口，第个信号源单元的一端作为第四端口；中间信号源矩阵的第1行的第1个信号源单元与中间信号源矩阵的第2行的第1个信号源单元通过U型耦合网络相连接，中间信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元与中间信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元通过U型耦合网络相连接； 所述底部信号源矩阵，包括呈排列的信号源单元，底部信号源矩阵的第1行的第1个信号源单元到第个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，第个信号源单元到第N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接，其中，第个信号源单元的一端作为第一端口，第个信号源单元的一端作为第二端口；底部信号源矩阵的第2行的N个信号源单元通过n型耦合网络依次连接；底部信号源矩阵的第1行的第1个信号源单元与底部信号源矩阵的第2行的第1个信号源单元通过U型耦合网络相连接，底部信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元与底部信号源矩阵的第2行的第N个信号源单元通过U型耦合网络相连接； 所述顶部信号源矩阵的第一端口与第1个中间信号源矩阵的第一端口相连接，顶部信号源矩阵的第二端口与第1个中间信号源矩阵的第二端口相连接，第1个中间信号源矩阵的第三端口与第2个中间信号源矩阵的第一端口相连接，第1个中间信号源矩阵的第四端口与第2个中间信号源矩阵的第二端口相连接，以此类推，直到第K个中间信号源矩阵的第三端口与底部信号源矩阵的第一端口相连接，第K个中间信号源矩阵的第四端口与底部信号源矩阵的第二端口相连接； 所述信号源单元，包括：二次谐波振荡器单元，天线，所述二次谐波振荡器单元的共模输出点与天线的一端相连接；天线的另一端用于连接VDD端； 所述二次谐波振荡器单元，包括：第一MOS管，第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与电感LG1一端相连接，第一MOS管的漏极通过电容CS1接地，所述电容CS1上并联有电感LS1，所述第一MOS管的源极与电感LD1的一端相连接；所述第二MOS管的栅极与电感LG2一端相连接，第二MOS管的漏极通过电容CS2接地，所述电容CS2上并联有电感LS2，所述第二MOS管的源极与电感LD2的一端相连接；所述电感LG1另一端与电感LG2另一端相连接后与电阻R一端相连接，所述电感LD1的另一端与电感LD2的另一端相连接；所述第一MOS管的栅极作为二次谐波振荡器单元的第一端口，第二MOS管的栅极作为二次谐波振荡器单元的第二端口，所述电感LG1与电感LG2的公共端作为二次谐波振荡器单元的共模输出点，所述电阻R的另一端作为二次谐波振荡器单元的VG端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：210018 江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。