嘉兴阿特斯技术研究院有限公司张强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利电池结构、电池单体及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510862576.7，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权电池结构、电池单体及光伏系统是由张强;李硕设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电池结构、电池单体及光伏系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电池结构、电池单体及光伏系统，属于电池技术领域。电池结构包括：硅基体，具有沿第一方向相对设置的正面和背面；在远离硅基体的方向上，依次层叠于硅基体的正面的第一本征非晶硅层、晶硅层和第一微晶硅层，晶硅层和第一微晶硅层具有第一掺杂类型，晶硅层含有氢元素和氧元素；在远离硅基体的方向上，依次层叠于硅基体的背面的第二本征非晶硅层和第二微晶硅层，第二微晶硅层具有第二掺杂类型；其中，晶硅层的厚度小于第一微晶硅层的厚度，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。通过在非晶硅层和微晶硅层之间沉积晶硅层，使微晶硅层具有更高的晶化率和透光性，同时缩短工艺时长，也不会对非晶硅层造成刻蚀作用。
本发明授权电池结构、电池单体及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种电池结构，其特征在于，包括： 硅基体，具有沿第一方向相对设置的正面和背面； 在远离所述硅基体的方向上，依次层叠于所述硅基体的所述正面的第一本征非晶硅层、晶硅层和第一微晶硅层，所述晶硅层和所述第一微晶硅层具有第一掺杂类型，所述晶硅层含有氢元素和氧元素，所述晶硅层中氧掺杂浓度大于氢掺杂浓度，所述晶硅层的氧掺杂浓度为1*1021cm-3-1*1023cm-3，所述晶硅层的厚度为0.5nm~1nm，所述第一微晶硅层的氧掺杂浓度为1*1017cm-3-1*1018cm-3； 在远离所述硅基体的方向上，依次层叠于所述硅基体的所述背面的第二本征非晶硅层和第二微晶硅层，所述第二微晶硅层具有第二掺杂类型； 其中，所述晶硅层的厚度小于所述第一微晶硅层的厚度，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，其通讯地址为：314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励