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龙图腾网获悉珠海妙存科技有限公司申请的专利闪存颗粒的早期失效测试方法、控制器和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120388597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510317834.3，技术领域涉及：G11C29/04；该发明授权闪存颗粒的早期失效测试方法、控制器和存储介质是由吴思平;贺乐;赖鼐设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存颗粒的早期失效测试方法、控制器和存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例提出一种闪存颗粒的早期失效测试方法、控制器和存储介质，包括：将闪存颗粒放置于测试空间，将测试空间的空间温度调整为第一测试温度；在第一测试温度下，根据不同的块状态、目标模式和目标读写行为对闪存颗粒进行多轮测试，将测试数据写入测试结果；将空间温度由第一测试温度下降至第二测试温度；在第二测试温度下，根据不同的块状态、目标模式和目标读写行为对闪存颗粒进行多轮测试，将测试数据写入测试结果；将测试结果写入至坏块表，坏块表用于记录失效存储块的位置信息、失效原因以及可靠性等级。本申请实施例通过不同场景、不同模式和不同读写行为的多轮实验的手段，筛选出性能较差的块，从而提高产品的质量可靠性。

本发明授权闪存颗粒的早期失效测试方法、控制器和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存颗粒的早期失效测试方法，其特征在于，包括： 将所述闪存颗粒放置于测试空间，并将所述测试空间的空间温度调整为第一测试温度，以模拟高温环境对所述闪存颗粒的影响； 在所述第一测试温度下，根据不同的块状态、目标模式和目标读写行为对所述闪存颗粒进行多轮测试，将测试数据写入测试结果，其中，所述测试数据包括存储块的读写错误率、擦写次数、数据保持能力以及电压阈值分布； 将所述空间温度由所述第一测试温度下降至第二测试温度，以模拟低温环境对所述闪存颗粒的影响； 在所述第二测试温度下，根据不同的块状态、目标模式和目标读写行为对所述闪存颗粒进行多轮测试，将测试数据写入所述测试结果； 将所述测试结果写入至坏块表，其中，所述坏块表用于记录失效存储块的位置信息、失效原因以及可靠性等级； 其中，所述根据不同的块状态、目标模式和目标读写行为对所述闪存颗粒进行多轮测试，包括： 根据块闭合状态或者块开放状态、TLC模式或者SLC模式、以及全盘擦写读行为或者即写即读行为对所述闪存颗粒进行多轮测试，其中，所述多轮测试依次为： 采用TLC模式对所述闪存颗粒的闭合块进行全盘擦写读测试，以评估所述闭合块在高密度模式下的耐久性； 采用SLC模式对所述闪存颗粒的闭合块进行全盘擦写读测试，以评估所述闭合块在低密度模式下的可靠性； 采用TLC模式对所述闪存颗粒的开放块进行全盘擦写读测试，以评估所述开放块在高密度模式下的数据保持能力； 采用SLC模式对所述闪存颗粒的开放块进行全盘擦写读测试，以评估所述开放块在低密度模式下的数据完整性； 采用SLC模式对所述闪存颗粒进行即写即读测试，以评估所述存储块在即时读写操作中的错误率； 采用TLC模式对所述闪存颗粒进行即写即读测试，以评估所述存储块在高密度即时读写操作中的稳定性。

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