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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120582607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510733464.1，技术领域涉及：H03K17/74；该发明授权一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法是由林潇垄;付美俊;靳瑞英设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法，包含功率管NPW1、功率管NPW2、高压PMOS管PDM1～PDM4、PMOS管PM1～PM5、NMOS管NM3～NM4、高压NMOS管NDM3～NDM5、电阻RB2和电阻RB3。本发明采用理想二极管控制环路实现输入和输出的压差控制，当输出带小电流负载，使得输出电压很接近输入电压时，输出电压将被钳位到预设值，实现正向二极管功能；当输出切换到比输入更高的电源时，功率管会自适应关断，实现反向二极管功能。

本发明授权一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于高压N型负载开关的理想二极管电路，其特征在于：包含功率管NPW1、功率管NPW2、高压PMOS管PDM1～PDM5、PMOS管PM1～PM5、NMOS管NM3～NM4、高压NMOS管NDM3～NDM5、电阻RB2和电阻RB3，PMOS管PM4的源极连接信号VCP，PMOS管PM4的栅极连接偏置电压VBIAS1，PMOS管PM4的漏极与高压PMOS管PDM5的源极连接，高压PMOS管PDM5的栅极连接偏置电压VBIAS2，高压PMOS管PDM5的漏极与功率管NPW1的栅极、功率管NPW2的栅极和高压NMOS管NDM5的漏极连接并产生信号NGATE，功率管NPW1的漏极与电阻RB3的一端连接并连接输入信号VIN，功率管NPW1的源极与功率管NPW2的源极连接并产生信号VS，功率管NPW2的漏极与高压PMOS管PDM4的漏极连接并产生输出信号VOUT，电阻RB3的另一端与高压PMOS管PDM3的漏极连接，高压PMOS管PDM3的栅极与高压PMOS管PDM4的栅极、高压PMOS管PDM1的栅极、高压PMOS管PDM2的栅极和电阻RB2的一端和高压NMOS管NDM3的漏极连接，高压PMOS管PDM3的源极与PMOS管PM1的源极连接并产生信号VA，高压PMOS管PDM4的源极与PMOS管PM2的源极连接并产生信号VB，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM2的栅极、高压PMOS管PDM1的漏极和电阻RB2的另一端连接，PMOS管PM1的漏极与高压PMOS管PDM1的源极连接，PMOS管PM2的漏极与高压PMOS管PDM2的源极连接，高压PMOS管PDM2的漏极与高压NMOS管NDM4的漏极和高压NMOS管NDM5的栅极连接，高压NMOS管NDM3的栅极与高压NMOS管NDM4的栅极连接并连接偏置电压VBIAS3，高压NMOS管NDM3的源极与NMOS管NM3的漏极连接，高压NMOS管NDM4的源极与NMOS管NM4的漏极连接，NMOS管NM3的栅极与NMOS管NM4的栅极连接并连接偏置电压VBIAS4，NMOS管NM3的源极、NMOS管NM4的源极和高压NMOS管NDM5的源极接地。

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