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龙图腾网获悉北京中微普业科技有限公司申请的专利一种超宽带Bias-T的电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120639108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510698184.1，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权一种超宽带Bias-T的电路结构是由宗荣军;吕涛;艾治均;但建波设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽带Bias-T的电路结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超宽带Bias‑T的电路结构，包括Bias‑T电路，Bias‑T电路固定在金属壳体中，金属壳体为T型结构的三端接口对应Bias‑T电路的三个端分别是RF端接口、RF+DC端接口和DC端接口，RF端接口直对RF+DC端接口，金属壳体内分别设置有低频腔体和高频腔体，低频腔体与DC连接端口连通，在高频腔体中所述微波传输直线导体和串接电容C固定在绝缘支撑架上，绝缘支撑架两端分别设置有接地端板，所述两端的接地端板与串接电容C两端的微波传输直线导体间隔设置、并呈90度垂直状态形成Bias‑T电路RF连接端口与RF+DC连接端口之间的边缘线传输状态。

本发明授权一种超宽带Bias-T的电路结构在权利要求书中公布了：1.一种超宽带Bias-T的电路结构，包括Bias-T电路，Bias-T电路的射频RF端与射频直流RF+DC端之间分别通过微波传输直线导体串接电容C，Bias-T电路的直流偏置DC端通过电感L连接在RF+DC端侧的导体上，其特征在于，所述Bias-T电路固定在金属壳体中，金属壳体为T型结构，T型结构的三端接口对应Bias-T电路的三个端分别是RF端接口、RF+DC端接口和DC端接口，RF端接口直对RF+DC端接口，金属壳体内分别设置有低频腔体和高频腔体，低频腔体与DC连接端口连通，高频腔体设置在RF连接端口直对RF+DC连接端口之间，在高频腔体中所述微波传输直线导体和串接电容C固定在绝缘支撑架上，绝缘支撑架两端分别设置有接地端板，所述两端的接地端板与串接电容C两端的微波传输直线导体间隔设置、并呈90度垂直状态形成Bias-T电路RF连接端口与RF+DC连接端口之间的边缘线传输状态；所述绝缘支撑架材料是PEI，所述微波传输直线导体是宽1.0mm至1.06mm，厚0.03mm至0.07mm的铜导体，铜导体通过覆铜板蚀刻的方式实现。

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