广东工业大学韩国军获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120673821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510809014.6，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法及系统是由韩国军;陈彦汛;张杨;陈泽豪设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提出一种用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法及系统，涉及半导体存储技术领域，该方法包括：获取三维NAND闪存的擦写次数和数据保留时间；数据保留时间若不明确，则通过采样调整法倒推该时间，将倒推的数据保留时间与擦写次数输入最优读取参考电压预测模型，输出各读取参考电压的平均最优偏移值；若明确，则将两参数代入最优读取参考电压预测模型输出各读取参考电压的平均最优偏移值；最后利用层间差异表对各读取参考电压的平均最优偏移值进行补偿，输出各层所有的最优读取参考电压。本发明能提高读取参考电压优化策略预测的准确性，降低时间开销，以提升读取性能。
本发明授权用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于优化三维NAND闪存读取参考电压的方法，其特征在于，包括： S1:获取三维NAND闪存的擦写次数和数据保留时间； S2:判断所述数据保留时间是否明确，若是，则执行S3，若否，则执行S4； S3.将所述擦写次数和所述数据保留时间代入预设的最优读取参考电压预测模型，输出各个读取参考电压的平均最优偏移值，并执行S5； S4:利用采样调整法倒推数据保留时间，将倒推的数据保留时间与所述擦写次数输入最优读取参考电压预测模型，输出各个最优读取参考电压的平均偏移值，并执行S5； S5:利用层间差异表对各个读取参考电压的平均最优偏移值进行补偿，输出各层各个最优读取参考电压。
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