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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利碳纳米管激光抛光质量实时监测系统、方法、电子设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120680137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511051736.6，技术领域涉及：B23K26/352；该发明授权碳纳米管激光抛光质量实时监测系统、方法、电子设备及介质是由黎宇航;陈磊设计研发完成，并于2025-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳纳米管激光抛光质量实时监测系统、方法、电子设备及介质在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供了一种基于光学相干断层扫描OCT和二次离子质谱仪SIMS的碳纳米管激光抛光质量实时监测系统、方法、电子设备及介质，其中，系统包括：超快激光抛光装置，根据激光参数对碳纳米管薄膜进行高精度激光抛光；OCT光学监测系统，实时监测超快激光抛光装置在抛光过程中碳纳米管薄膜的表面形貌，得到OCT数据；SIMS化学成分分析模块，检测抛光前后碳纳米管薄膜的表面元素组成及杂质含量，得到SIMS数据；智能反馈控制系统，基于OCT数据和SIMS数据，利用机器学习算法优化超快激光抛光装置的激光参数；数据处理与存储模块，存储并分析OCT数据和SIMS数据，生成表面质量评估报告，并根据智能反馈控制系统的反馈远程调整激光参数。

本发明授权碳纳米管激光抛光质量实时监测系统、方法、电子设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于光学相干断层扫描OCT和二次离子质谱仪SIMS的碳纳米管激光抛光质量实时监测系统，其特征在于，包括： 超快激光抛光装置，用于根据激光参数对碳纳米管薄膜进行高精度激光抛光； OCT光学监测系统，用于实时监测所述超快激光抛光装置在抛光过程中碳纳米管薄膜的表面形貌，得到OCT数据；所述OCT光学监测系统的OCT扫描深度达50μm，纵向分辨率≤10nm；所述OCT光学监测系统具体用于： 进行抛光过程中碳纳米管薄膜的实时表面粗糙度监测，检测范围为0.1nm-50nm，目标表面粗糙度≤2nm； 进行抛光过程中碳纳米管薄膜的表面的缺陷识别，并在缺陷识别后自动调整激光焦点位置； 结合AI算法进行抛光过程中碳纳米管薄膜的表面的动态表面模型的重构；SIMS化学成分分析模块，用于检测抛光前后碳纳米管薄膜的表面元素组成及杂质含量，得到SIMS数据；所述SIMS化学成分分析模块的质量分辨率≥5000，深度分辨率≤2nm；所述SIMS化学成分分析模块具体用于： 识别碳纳米管薄膜中的痕量金属残留、氧化物及催化剂残留； 精准分析激光抛光前后材料的化学变化； 精确区分同位素和微量杂质成分； 智能反馈控制系统，基于所述OCT数据和所述SIMS数据，利用机器学习算法优化所述超快激光抛光装置的激光参数；所述智能反馈控制系统具体用于： 基于OCT数据优化激光能量密度和扫描速率，当表面粗糙度2nm时，自动降低激光能量5%-10%； 基于SIMS数据调节激光脉冲宽度，当表面氧化物含量增加5%时，自动调整脉冲宽度至更低值； 进入缺陷修复模式：当OCT检测到表面裂纹或颗粒污染时，智能调整激光焦点进行局部修复； 数据处理与存储模块，用于存储并分析所述OCT数据和所述SIMS数据，生成表面质量评估报告，并根据所述智能反馈控制系统的反馈远程调整所述激光参数。

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