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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511141949.8，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片是由杨朋辉;薛成龙;李昕;国洪晨;柏文文;王含冠;朱霄;华千慧;王奇设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片，涉及晶圆键合技术领域。在高真空环境下，分别将待键合的第一晶片和第二晶片的键合面采用第一原子束进行第一次辐照处理，得到第一活化层；将步骤S1第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行至少一次第二辐照处理，得到第二活化层；进行压重键合，得到键合片。本发明降低表面损伤的低温键合方法采用分梯度活化键合面，能够降低单一活化对晶圆表面造成的损伤，降低表面粗糙度，从而减少键合后气泡出现的几率，且提高了键合强度。

本发明授权一种降低表面损伤的低温键合方法及其键合片在权利要求书中公布了：1.一种降低表面损伤的低温键合方法，其特征在于，所述低温键合方法包括以下步骤： S1：在高真空环境下，分别将待键合的第一晶片和第二晶片的键合面采用第一原子束进行第一次辐照处理，得到第一活化层； S2：将步骤S1第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行至少一次第二辐照处理，得到第二活化层； S3：将第二次辐照后的第一晶片和第二晶片的键合面，进行压重键合，得到键合片； 其中，第一原子束和第二原子束均为惰性气体原子束； 第二原子束的相对原子质量小于第一原子束的相对原子质量； 第一原子束为Ar、Kr、Xe原子束中的一种或两种，第二原子束为Ne或He原子束中的一种或两种； 第一辐照处理的电压为100-2000V，第一辐照处理的电流为50-300mA，辐照时间为10-200s； 第二辐照处理的电压为500-2000V，第二辐照处理的电流为10-300mA，辐照时间为10-200s； 高真空环境的真空度不高于1×10-6Pa，温度不高于30℃； 步骤S2中，第一次辐照处理后的键合面采用第二原子束进行2次第二辐照处理，包括以下步骤，将步骤S1第一次辐照处理后的键合面先采用Ne原子束进行第一次的第二辐照处理，然后采用He原子束进行第二次的第二辐照处理。

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