杭州清芯微电子有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511205237.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极和源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+层，所述栅极的内部设有碳化硅层，所述碳化硅层由若干个纵向排列的碳化硅块组成，并且每个自下而上碳化硅块的截面高度逐级增加；所述N衬底层的内部通过离子注入形成有掺杂N‑层。本发明通过栅极内部纵向排列的阶梯状碳化硅层设计，自下而上截面高度逐级增加的结构有效分散了栅极区域的电场强度峰值，避免局部电场集中导致的击穿风险，显著提升器件的阻断电压能力。
本发明授权一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种分段式碳化硅MOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞从下向上依次包括有漏极1、半导体外延层、栅极2和源极3，所述半导体外延层从下向上依次包括有N衬底层4、N漂移层5、P阱层7和N阱层6，所述半导体外延层的内部还包括有P+层8，其中P+层8位于N阱层6和P阱层7的两侧，其特征在于：所述栅极2的内部设有碳化硅层9，所述碳化硅层9由若干个纵向排列的碳化硅块组成，并且每个自下而上碳化硅块的截面高度逐级增加； 所述N衬底层4的内部通过离子注入形成有掺杂N-层10，所述掺杂N-层10的顶端贯穿至N漂移层5的内部，所述掺杂N-层10的底端与漏极1欧姆接触。
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