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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511222207.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置是由霍丽艳;滕龙;吴洪浩;刘兆;刘士伟设计研发完成，并于2025-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置，涉及电子元器件技术领域，所述紫外LED外延片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的N型层、多量子阱层、P型层；所述多量子阱层包括改性石墨烯层和ZnO量子阱层、以及ZnO量子垒层；所述改性石墨烯层为经过等离子体处理的石墨烯层，所述等离子体处理的气体为氧气，本发明能够解决已有技术中由于ZnO材料中存在较多的缺陷和杂质能级，影响辐射发光效率的问题。

本发明授权一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片、发光装置在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED外延片，其特征在于，所述紫外LED外延片包括： 衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的N型层、多量子阱层、P型层； 所述多量子阱层包括ZnO量子阱层和ZnO量子垒层两者组成超晶格结构以及单层改性石墨烯层，或者所述多量子阱层包括单层改性石墨烯层、ZnO量子阱层和ZnO量子垒层三者组成超晶格结构，或者所述多量子阱层包括两层改性石墨烯层、ZnO量子阱层和ZnO量子垒层四者组成的超晶格结构，所述超晶格结构的周期为1~20，包括端点值，单个周期的厚度为10nm~50nm，包括端点值，ZnO量子阱层厚度为2nm~10nm，包括端点值，ZnO量子垒层厚度为8nm~20nm，包括端点值； 所述改性石墨烯层为经过等离子体处理的石墨烯层，所述等离子体处理的气体为氧气，所述石墨烯层为1层~20层石墨烯原子层堆叠而成，包括端点值，所述等离子体处理的功率20W～100W，包括端点值，压力为50Pa～200Pa，包括端点值，时间为30s～120s，包括端点值； 所述紫外LED外延片还包括势垒层，所述势垒层的势垒高度高于所述ZnO量子垒层，所述势垒层包括设于所述P型层和所述多量子阱层之间的第二势垒ZnO层，或者所述势垒层包括设于所述P型层和所述多量子阱层之间的第二势垒ZnO层和设于所述N型层和所述多量子阱层之间的第一势垒ZnO层，所述第一势垒ZnO层和所述第二势垒ZnO层厚度均为100nm~1000nm，包括端点值。

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