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龙图腾网获悉上海英达森斯半导体科技有限公司申请的专利自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511273179.2，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法是由王勇设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法在说明书摘要公布了：本公开提供了自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法。该电平移位电路包括：第一交叉耦合电路，被设置有第一晶体管和第二晶体管，其源极被设置成同时连接到第一电源电压，其漏极被设置成分别经由第一隔离器件和第二隔离器件后与对应的第一节点和第二节点连接，其栅极被设置成分别与对应的第二节点和第一节点连接；输入电路，被设置在输出节点与地之间；输入电路被设置有第一输入端和第二输入端以及上下拉电路。本公开的实施例所提供的电平移位电路能够缩短低电压域与高电压域间转换过程中瞬态时间延迟，同时仅消耗纳安级别的静态电流。

本发明授权自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种自偏置瞬态增强低静态功耗的电平移位电路，其特征在于， 所述电平移位电路被设置在第一电源电压VDDH与地GND之间，所述电平移位电路包括： 第一交叉耦合电路，被设置有第一晶体管HVPM1和第二晶体管HVPM2，其源极被设置成同时连接到所述第一电源电压VDDH，其漏极被设置成分别经由第一隔离器件HVNM5和第二隔离器件HVNM6后与对应的第一节点A和第二节点B连接，其栅极被设置成分别与对应的所述第二节点B和所述第一节点A连接； 输入电路，被设置在输出节点与地GND之间，所述输出节点被设置成由所述第一节点A和所述第二节点B组成；所述输入电路被设置有第一输入端inp和第二输入端inn，以及上下拉电路，所述上下拉电路被设置在第二电源电压VDDL与地GND之间并且分别与所述第一输入端inp和所述第二输入端inn连接、以及分别与第一钳位节点C和第二钳位节点D连接；当所述第一输入端inp被设置成所述第二电源电压VDDL时、所述第一钳位节点C被调整成与地GND连接，当所述第一输入端inp被设置成与地GND连接时、所述第一钳位节点C被调整成所述第二电源电压VDDL连接；其中所述第一电源电压VDDH高于所述第二电源电压VDDL。

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