杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233896.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种MOSFET结构及其制备方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法，属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层，并配合两侧弧形侧对称P‑层的设计，有效优化了器件内部的电场分布，轻掺杂N层拓宽了沟道与漏极间的耗尽区，削弱了漏极电场对沟道的渗透，弧形侧对称P‑层与N衬底层直接接触形成横向场限制环，进一步分散电场集中，减少了漏极感应势垒降低效应和热载流子效应，增强了栅极对沟道的控制能力，从而抑制了亚阈值摆幅增大、阈值电压漂移等问题，提升了器件的开关可控性。
本发明授权一种MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2和栅极3；所述半导体外延层包括N衬底层4、N漂移层5、P+层6、N阱层7和P阱层8，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层5中间处设有轻掺杂N层9； 单个所述MOS元胞的内部且位于所述N漂移层5的左侧和右侧均设置有侧对称P-层10，两个所述侧对称P-层10的横截面轮廓均为弧形状，两个所述侧对称P-层10的底端均与所述N衬底层4的上表面接触； 所述轻掺杂N层9的内部通过离子注入形成有半圆形P-层11，所述半圆形P-层11的底端与所述N衬底层4的上表面接触； 所述轻掺杂N层9的内部且位于所述半圆形P-层11的外侧通过离子注入形成有重掺杂N层12，所述重掺杂N层12的横截面轮廓均为半圆状，所述重掺杂N层12的内侧与所述半圆形P-层11的外侧接触； 所述重掺杂N层12的顶端通过离子注入形成有半椭圆形P-层13。
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