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吉林奥来德光电材料股份有限公司王辉获国家专利权

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龙图腾网获悉吉林奥来德光电材料股份有限公司申请的专利一种含铱金属杂环磷光掺杂材料及有机电致发光器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120795038B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511300212.6,技术领域涉及:C07F15/00;该发明授权一种含铱金属杂环磷光掺杂材料及有机电致发光器件是由王辉;武卫东;张国旭;赵明;贾永波;杨润东设计研发完成,并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种含铱金属杂环磷光掺杂材料及有机电致发光器件在说明书摘要公布了:本发明属于有机电致发光材料技术领域,提供了一种含铱金属杂环磷光掺杂材料及有机电致发光器件,所述掺杂材料具有式I所示结构的化合物通式,通过硅烷或者锗烷将喹啉和萘环连接,并形成硅或锗六元杂环结构,然后与铱金属和二酮类单体反应,得到铱金属杂环磷光有机发光材料。该材料中的杂原子硅或者锗可以调节分子轨道HOMO和LUMO能级,同时杂原子的极性作用促进电子迁移,降低界面势垒和电子注入壁垒,减少载流子注入损耗,提高载流子迁移率,从而降低驱动电压,提升器件的外量子效率。另外,硅或者锗杂环具备较好的刚性,使得结构整体稳定性增强,该刚性结构可以延长其器件的使用寿命。

本发明授权一种含铱金属杂环磷光掺杂材料及有机电致发光器件在权利要求书中公布了:1.一种含铱金属杂环磷光掺杂材料,其特征在于,具有式I所示结构的化合物通式: 其中,X选自Si或Ge; X1、X2和X3表示碳原子,且X1和X2连接以下结构: ; Y1和Y2为碳C; R1,R2,R3,R4取代基相同或不同,各自独立的选自氢、氘原子、卤素、氰基,取代或未取代的C1-C40烷基,取代或未取代C6芳基,取代或未取代的C3-C7环烷基,未取代的C1-C10硅烷基,未取代的C1-C10锗烷基,及其以上基团的组合; 所述Ra~Rc各自独立地选自氢、氘原子、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C20烷基,取代或未取代的C3-C20环烷基,Ra~Rc位置的取代基相同或不同; 所述“取代”或“未取代”中的取代基为氘、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、氰基、卤素、三甲基硅基以及三甲基锗基。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人吉林奥来德光电材料股份有限公司,其通讯地址为:130000 吉林省长春市高新开发区硅谷新城生产力大厦A座19层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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