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龙图腾网获悉金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司申请的专利一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120797198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511321399.8，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片是由李慎重;梁兴勃;邹娟;卢飞红;蒋玉龙;王震;刘晓娅;周艳芹设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片，所述方法为：以碳氧共掺的重掺硼或磷的直拉单晶硅片为衬底，经外延高温氢气预处理后，再升温至外延温度进一步生长外延层制得高质量硅外延片。所述高温氢气预处理步骤为以40℃~60℃s的速率升温至1200℃~1250℃，保持150‑300s，然后以20℃‑50℃s的速率降温至600℃‑800℃，保持30‑120s。本发明制备的硅外延片在经历了器件热加工过程后可以在衬底表层洁净区下形成一定宽度的高密度碳促进的碳氧共沉淀诱生层错，其具有吸收自间隙抑制硼或磷外扩散的特性，可以获得耐压性能稳定，吸杂能力强的器件。

本发明授权一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片在权利要求书中公布了：1.一种重掺硅单晶衬底上制备硅外延片的方法，其特征在于，所述重掺硅单晶衬底为碳和氧共掺杂的重掺硼或重掺磷直拉硅单晶衬底，所述方法包括以下具体步骤： 步骤S1，在掺碳基础上结合高氧工艺用直拉法制备含氧和碳杂质的重掺硼或重掺磷的直拉硅单晶锭，再经过切磨抛加工成重掺硼或重掺磷的重掺单晶硅片； 步骤S2，对步骤S1制得的重掺单晶硅片进行高温氢气烘烤预处理，形成所述的重掺硅单晶衬底； 步骤S3，在S2步骤形成的重掺硅单晶衬底上生长硅外延层，制得所述硅外延片； 其中，步骤S1中制得的所述重掺单晶硅片中：氧浓度的范围为1×1018cm-3~9×1018cm-3，碳浓度的范围为5×1016cm-3~9×1017cm-3；电阻率低于8mΩ·cm； 步骤S2中所述的高温氢气烘烤预处理为：以20℃~60℃s的速率升温至1200℃~1250℃，保持150-300s，然后以10℃-50℃s的速率降温至600℃-800℃，保持30-120s。

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