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龙图腾网获悉珠海妙存科技有限公司申请的专利闪存数据安全存储方法及其装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120803370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511254700.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权闪存数据安全存储方法及其装置、电子设备和存储介质是由贺乐;赖鼐设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存数据安全存储方法及其装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种闪存数据安全存储方法及其装置、电子设备和存储介质，涉及闪存技术领域。方法包括：将闪存存储器的数据块中的物理页划分为普通存储区和增强存储区；增强存储区用于存储第一闪存数据，普通存储区用于存储第二闪存数据，第一闪存数据的安全级别高于第二闪存数据的安全级别；当存储第一闪存数据，根据闪存存储器的类型确定目标写入模式；其中，目标写入模式用于确定增强存储区中数据状态的数量；当闪存存储器的类型为多层式存储单元闪存，确定目标写入模式为单比特写入模式；增强存储区中数据状态的数量小于普通存储区中数据状态的数量；根据目标写入模式将待存储的第一闪存数据写入增强存储区。有利于提高闪存数据的存储安全性。

本发明授权闪存数据安全存储方法及其装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存数据安全存储方法，其特征在于，包括： 将闪存存储器的数据块中的物理页划分为普通存储区和增强存储区；其中，所述普通存储区和所述增强存储区均包括：不同类型的数据页；所述数据页的数量和类型由闪存存储器的类型确定；所述闪存存储器的类型为：多层式存储单元闪存、或三层式存储单元闪存、或四层式存储单元闪存；所述增强存储区用于存储第一闪存数据，所述普通存储区用于存储第二闪存数据，所述第一闪存数据的安全级别高于所述第二闪存数据的安全级别； 当存储所述第一闪存数据，根据所述闪存存储器的类型确定目标写入模式；其中，所述目标写入模式用于确定所述增强存储区中数据状态的数量；所述增强存储区中数据状态的数量小于所述普通存储区中数据状态的数量；当所述闪存存储器的类型为多层式存储单元闪存，确定所述目标写入模式为单比特写入模式； 根据所述目标写入模式将待存储的第一闪存数据写入所述增强存储区； 其中，所述根据所述闪存存储器的类型确定所述目标写入模式，还包括： 当所述闪存存储器的类型为：三层式存储单元闪存，确定所述目标写入模式为：单比特写入模式、或者为两比特写入模式； 当所述闪存存储器的类型为：四层式存储单元闪存，确定所述目标写入模式为：单比特写入模式、或者为两比特写入模式。

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