深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种光子晶体激光器及其成型工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120810378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511286653.5，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权一种光子晶体激光器及其成型工艺是由周少丰;吕天健;丁亮;罗军波设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光子晶体激光器及其成型工艺在说明书摘要公布了：本申请提供一种光子晶体激光器及其成型工艺，光子晶体激光器包括衬底、激光发生结构、脊波导结构、第一电极、第二电极、端面光子晶体和侧壁光子晶体，激光发生结构设置于衬底，第一电极和第二电极通过设置于衬底和脊波导结构，可通过向激光发生结构注入电流，使激光发生结构形成激光，脊波导结构与激光发生结构之间形成台阶，端面光子晶体通过蚀刻于台阶长度方向的两侧，可抑制激光发生结构的高阶纵模，侧壁光子晶体通过蚀刻于台阶宽度方向的两侧，可抑制激光发生结构的高阶横模，无需设置窄脊波导结构抑制高阶横模，使激光器既满足于抑制高阶横模与高阶纵模，又能实现高功率激光的输出。
本发明授权一种光子晶体激光器及其成型工艺在权利要求书中公布了：1.一种光子晶体激光器，其特征在于，包括： 衬底； 激光发生结构，设置于所述衬底； 脊波导结构，设置于所述激光发生结构远离所述衬底的一侧，所述脊波导结构与所述激光发生结构之间形成台阶； 第一电极，设置于所述衬底远离所述激光发生结构的一侧； 第二电极，设置于所述脊波导结构远离所述衬底的一侧； 端面光子晶体，蚀刻于所述台阶长度方向的两侧，用于抑制所述激光发生结构的高阶纵模，所述端面光子晶体的光子晶体周期Λ1在250-320nm之间，光子晶体占空比在0.3-0.4之间，所述端面光子晶体的光子晶体周期Λ1与激光基模的传播常数β满足：β·Λ1=2π； 侧壁光子晶体，蚀刻于所述台阶宽度方向的两侧，用于抑制所述激光发生结构的高阶横模，所述侧壁光子晶体与所述脊波导结构的间距在100nm以内； 所述脊波导结构的宽度范围在7-9μm之间。
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