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湖南融创微电子股份有限公司祁勇获国家专利权

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龙图腾网获悉湖南融创微电子股份有限公司申请的专利抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120811328B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511300545.9,技术领域涉及:H03K3/013;该发明授权抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元是由祁勇;刘祥远;傅祎晖设计研发完成,并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元在说明书摘要公布了:本发明涉及抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元,通过在SR锁存器的两个输出端分别增设相应的滤波电路结构,当高能粒子轰击敏感节点时,与非门的输出端如果出现单粒子瞬态而发射电位翻转,那么其输出电位经过其后连接的滤波电路进行信号滤波处理,滤除该非正常的电位翻转后,使得单粒子瞬态所产生的电位变化被滤除而无法传输到该支路的最终输出端,确保最终输出端的电位状态不因高能粒子轰击而发生改变,达到有效抗单粒子翻转和单粒子瞬态的目的。

本发明授权抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器和存储单元在权利要求书中公布了:1.一种抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的SR锁存器,其特征在于,包括第一与非门、第二与非门、第一滤波电路和第二滤波电路,第一与非门和第二与非门交叉耦合的构成SR锁存器,第一与非门的输出端通过第一滤波电路连接第二与非门的反馈输入端,第二与非门的输出端通过第二滤波电路连接第一与非门的反馈输入端,第一滤波电路用于滤除第一与非门的输出信号中的异常电位,第二滤波电路用于滤除第二与非门的输出信号中的异常电位;异常电位为高能粒子轰击与非门的敏感节点导致与非门输出单粒子翻转后的电位;第一滤波电路和第二滤波电路的结构相同; 第一滤波电路包括第一电容、第二电容、第一同或门和第一三态门; 第一电容的一端分别连接第一与非门的输出端和第一同或门的第一输入端,第一电容的另一端接地,第一同或门的第二输入端分别连接第一与非门的输出端、第二电容的一端和第一三态门的输入端,第一同或门的输出端连接第一三态门的使能端,第一三态门的输出端连接第二与非门的反馈输入端并作为输出端QN,第二电容的另一端接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖南融创微电子股份有限公司,其通讯地址为:410205 湖南省长沙市长沙高新开发区尖山路18号中电软件园二期第A5栋1层101号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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