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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511309020.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有二阶氧化层的SiCMOSFET结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、源极和栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、P阱层、N阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中通过离子注入形成有N‑掺杂层，所述N‑掺杂层位于栅极的正下方；所述N‑掺杂层的内部通过离子注入形成有若干个互不接触的掺杂N+隔离层。本发明通过引入位于栅极正下方的N‑掺杂层及其内部排列分布的掺杂N+隔离层，有效调制了栅氧下方的电场分布，抑制了电场尖峰，从而显著提高了器件的击穿电压并增强了栅氧层的可靠性，同时保持了较低的比导通电阻。

本发明授权一种具有二阶氧化层的SiC MOSFET结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有二阶氧化层的SiCMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、栅极2、源极3和栅氧化层11，所述栅极2下方的栅氧化层11为二阶氧化层，所述半导体外延层自下向上依次包括N衬底层4、N漂移层5、P阱层7、N阱层8，所述P阱层7、N阱层8的左右两侧包括有P+层6，并且所述P阱层7、N阱层8位于单个MOS元胞的左右两侧，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层5中通过离子注入形成有N-掺杂层10，所述N-掺杂层10位于栅极2的正下方； 所述N-掺杂层10的内部通过离子注入形成有若干个互不接触的掺杂N+隔离层9； 所述N漂移层5为覆盖漂移层501，所述覆盖漂移层501位于相邻两个P阱层7之间，并且所述覆盖漂移层501的截面轮廓呈“U”字形状； 其中所述覆盖漂移层501位于栅极2的正下方，且覆盖漂移层501“U”字形状的两个端部与栅氧化层11直接接触，所述N-掺杂层10位于覆盖漂移层501“U”字形状的内部。

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