中国科学技术大学杨上峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种反式钙钛矿电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511300337.9，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种反式钙钛矿电池及其制备方法是由杨上峰;贺祥;崔义设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反式钙钛矿电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种反式钙钛矿电池及其制备方法。本发明通过将含有膦酸锚定基团的主SAM沉积在ITO表面上，经退火后形成牢固的锚定，随后沉积一层5‑吲哚硼酸，硼酸可自发吸附到ITO上，有效填充主SAM由于两亲性自发团聚造成的空隙并形成致密的SAM层，从而调节钙钛矿的结晶，减缓对ITO的腐蚀。在双层SAM的基础上，通过将噻菌灵TBZ加入钙钛矿前驱体溶液中，在反溶剂结晶萃取的过程中，TBZ会自发沉积到钙钛矿底界面，从而实现对钙钛矿底界面的协同钝化，进而实现较优的光电转换效率。
本发明授权一种反式钙钛矿电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反式钙钛矿电池，其特征在于，包括： 导电基底； 形成于所述导电基底上的空穴传输层；所述空穴传输层包括第一自组装单分子层和第二自组装单分子层； 所述第一自组装单分子层的组分为MeO-PhPACz；将第一自组装单分子层组分溶液旋涂于所述导电基底上，退火后，得到第一自组装单分子层； 所述第二自组装单分子层的组分为5-IBA；将第二自组装单分子层组分溶液旋涂于所述第一自组装单分子层上，退火后，得到第二自组装单分子层； 形成于所述空穴传输层上的钙钛矿薄膜；形成所述钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中包括噻菌灵； 形成于所述钙钛矿薄膜上的钝化层； 形成于所述钝化层上的电子传输层； 形成于所述电子传输层上的缓冲层； 形成于所述缓冲层上的金属电极。
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