芯联集成电路制造股份有限公司黎震宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511318736.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由黎震宇;吴梦圆;张俊龙;王琛;刘国安设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底上形成有自下而上层叠的介质层、硬掩膜层和阻挡层；刻蚀阻挡层、硬掩膜层和介质层，以形成贯穿阻挡层、硬掩膜层和介质层的通孔；修整硬掩膜层，使位于硬掩膜层的通孔的横向尺寸扩大，以在硬掩膜层中定义出沟槽的图案；以修整后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，以扩大位于顶部的部分通孔的横向宽度形成沟槽，其中，沟槽的底端高于通孔的底端。本申请实施例只需要一次光刻和一次刻蚀制程便可形成双大马士革结构，简化了生产流程和生产周期，降低了生产成本，并且通过在硬掩膜层上方增加阻挡层的方式使硬掩膜层在修整时只进行横向扩大而不会纵向消耗，保障后续工艺顺利进行。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供基底，所述基底上形成有自下而上层叠设置的介质层、硬掩膜层和阻挡层； 在所述阻挡层上形成掩膜层，并利用光刻工艺对所述掩膜层进行图案化，以在所述掩膜层中定义出预定形成通孔的图案； 以所述图案化后的掩膜层为掩膜，刻蚀所述阻挡层、所述硬掩膜层和所述介质层，以形成贯穿所述阻挡层、所述硬掩膜层和所述介质层的通孔； 采用修整工艺，通过修整气体对所述硬掩膜层进行横向修整，使位于所述硬掩膜层的所述通孔的横向尺寸扩大，以在所述硬掩膜层中定义出预定形成沟槽的图案，其中，在修整所述硬掩膜层的过程中，所述硬掩膜层的顶部被所述阻挡层保护； 以修整后的所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，以扩大位于顶部的部分所述通孔的横向宽度形成沟槽，其中，所述沟槽的底端高于所述通孔的底端，且在形成所述通孔和所述沟槽时仅采用一次光刻工艺。
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