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龙图腾网获悉江苏能华微电子科技发展有限公司申请的专利一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120825986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511341047.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法是由李亦衡;王强;夏远洋;魏鸿源;武乐可;朱廷刚设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaNHEMT器件、P‑GaN延伸层的制备方法，属于半导体领域。本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括依次层叠的P‑GaN层和AlGaN垒势层；所述P‑GaN层的内部插入有插入层，水平方向上，所述插入层与P‑GaN层相平行，所述插入层的成分为AlGaN和或AlN。本发明在P‑GaN层内部插入的插入层在刻蚀时可与刻蚀所用的气体反应形成蚀刻停止层，从而提高形成的第二P‑GaN延伸层的厚度均匀性。

本发明授权一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P-GaN延伸层的制备方法，其特征在于，所述P-GaN延伸层包括相连的第一P-GaN延伸层和第二P-GaN延伸层；所述第二P-GaN延伸层的厚度小于第一P-GaN延伸层的厚度； 在GaNHEMT器件中的P-GaN层表面沉积第一氮化硅层后利用第一掩膜对第一氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成第一残留氮化硅层；所述第一残留氮化硅层将所述第一P-GaN延伸层覆盖； 所述GaNHEMT器件包括依次层叠的P-GaN层和AlGaN垒势层； 所述P-GaN层的内部插入有插入层;水平方向上，所述插入层与P-GaN层相平行，所述插入层的成分为AlGaN和或AlN； 以所述第一残留氮化硅层为掩膜，对除第一P-GaN延伸层以外的P-GaN层进行第一刻蚀直至插入层，并且所述第一刻蚀所用的气体与插入层反应，在插入层表面形成第一刻蚀停止层； 在所述第一刻蚀停止层沉积第二氮化硅层后利用第二掩膜对第二氮化硅层进行光刻和刻蚀，形成第二残留氮化硅层；所述第二残留氮化硅层的长度与第二P-GaN延伸层的长度相同； 以所述第一残留氮化硅层和第二残留氮化硅为掩膜，对除第一P-GaN延伸层、第二P-GaN延伸层以外的P-GaN层进行第二刻蚀直至AlGaN垒势层，并且所述第二刻蚀所用的气体与AlGaN垒势层反应在AlGaN垒势层表面形成蚀刻停止层，然后去除第一残留氮化硅层和第二残留氮化硅，得到P-GaN延伸层。

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