杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120825996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511309249.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了集成渐变应变条阵列的SiCVDMOSFET结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层以及源极，其中栅氧化层覆盖在栅极的外表面，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层和P阱层，所述栅极的内部沉积有应变条阵列。本发明通过在栅极内部嵌入阵列式应变条及栅氧化层界面集成应变覆盖层，利用硅化锗与硅材料的晶格失配效应，向沟道区施加均匀的双轴压应力。该设计显著优化电子输运特性，在不增加器件尺寸的前提下提升导通电流能力，同时避免传统单层应变结构中的应力衰减问题。
本发明授权集成渐变应变条阵列的SiC VDMOSFET结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.集成渐变应变条阵列的SiCVDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、栅极2、栅氧化层4以及源极3，其中栅氧化层4覆盖在栅极2的外表面，所述半导体外延层包括N衬底层6、N漂移层7、N阱层8、P+层9和P阱层10，其特征在于：所述栅极2的内部沉积有应变条阵列11，所述应变条阵列11由若干个应变条组成，并且每个所述应变条之间互不接触； 所述栅极2与栅氧化层4之间的夹层中沉积有应变覆盖层5，所述应变覆盖层5、应变条阵列11的材质均为硅化锗；所述应变条阵列11与应变覆盖层5通过硅化锗与硅之间的晶格失配在沟道区引入压应力。
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