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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利一种硅光调制器、光器件以及光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120848047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511378701.3，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种硅光调制器、光器件以及光模块是由刘亚东;吴丹;马可;方舟设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光调制器、光器件以及光模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅光调制器，包括第一平板区结构和第二平板区结构，第二平板区结构设置在调制器的脊波导上，且第二平板区结构位于第一平板区结构的上方。本发明还公开一种光器件。本发明还公开一种光模块。优点，本发明硅光调制器，增加了第二平板区结构，大大减小调制区串联电阻。

本发明授权一种硅光调制器、光器件以及光模块在权利要求书中公布了：1.一种硅光调制器，包括第一平板区结构D，其特征在于，所述硅光调制器还包括第二平板区结构E，第二平板区结构E设置在调制器的脊波导上，且第二平板区结构E位于第一平板区结构D的上方； 第二平板区结构E为第二平板区的N型掺杂区域和第二平板区的P型掺杂区域； 第二平板区的N型掺杂区域由第二N型轻掺杂区域201、第二N型中掺杂区域202以及第二N型重掺杂区域203构成；其中，第二N型轻掺杂区域201与第一平板区结构内的第一N型轻掺杂区域101相连，第二N型重掺杂区域203与第一平板区结构内的第一N型重掺杂区域103相连； 第二平板区的P型掺杂区域由第二P型轻掺杂区域204、第二P型中掺杂区域205以及第二P型重掺杂区域206构成；其中，第二P型轻掺杂区域204与第一平板区结构内的第一P型轻掺杂区域104相连，第二P型重掺杂区域206与第一平板区结构内的第一P型重掺杂区域106相连； 第二平板区的N型掺杂区域的掺杂浓度为：第二N型重掺杂区域203的掺杂浓度较大，第二N型中掺杂区域202的掺杂浓度介于第二N型重掺杂区域203的掺杂浓度和第二N型轻掺杂区域201的掺杂浓度，第二N型轻掺杂区域201的掺杂浓度较低；第二N型重掺杂区域203的掺杂浓度与第一N型重掺杂区域103的掺杂浓度接近，第二N型轻掺杂区域201的掺杂浓度与第一N型轻掺杂区域101的掺杂浓度接近； 和第二平板区的P型掺杂区域的掺杂浓度为：第二P型重掺杂区域206的掺杂浓度较大，第二P型中掺杂区域205的掺杂浓度介于第二P型重掺杂区域206的掺杂浓度和第二P型轻掺杂区域204的掺杂浓度之间，第二P型轻掺杂区域204的掺杂浓度较低；第二P型重掺杂区域206的掺杂浓度与第一P型重掺杂区域106的掺杂浓度接近，第二P型轻掺杂区域204的掺杂浓度与第一P型轻掺杂区域104的掺杂浓度接近。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司，其通讯地址为：211800 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦A座7层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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