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龙图腾网获悉光梓信息科技(上海)有限公司申请的专利芯片电源布线规划方法、电子设备、介质和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120850935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511325378.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权芯片电源布线规划方法、电子设备、介质和装置是由孙全辉;陈学峰;栗源设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片电源布线规划方法、电子设备、介质和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及芯片设计制造技术领域，具体涉及计算机辅助设计技术领域，尤其涉及一种芯片电源布线规划方法、电子设备、介质和装置。方法包括：确定目标金属层中的目标布局区域相关联的第一环状电源线；基于目标布局区域和第一电流环中的电流流向，规划目标金属层的相邻金属层中的第二环状电源线。如此，通过双层供电布线的设计来实现上下两层供电的电流环各自产生的磁场之间抵消，而且基于第一环状电源线的电流大小分布来确定第二环状电源线的电流大小分布，这样充分考虑到了电源线的线宽等几何参数的影响，有助于更好地实现消除目标布局区域的磁场或者大部分地抵消磁场。

本发明授权芯片电源布线规划方法、电子设备、介质和装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片电源布线规划方法，其特征在于，所述芯片电源布线规划方法包括： 确定目标金属层中的目标布局区域相关联的第一环状电源线，其中，所述第一环状电源线被设置在所述目标金属层中并且构成用于向所述目标金属层供电的第一电流环，所述第一电流环在所述目标金属层上所包围的区域至少包括所述目标布局区域； 基于所述目标布局区域和所述第一电流环中的电流流向，规划所述目标金属层的相邻金属层中的第二环状电源线，其中，所述第二环状电源线构成用于向所述相邻金属层供电的第二电流环，所述第二电流环中的电流流向与所述第一电流环中的电流流向相反，所述第二电流环在所述目标金属层上的投影区域至少包括所述第一电流环在所述目标金属层上所包围的区域，所述第二环状电源线的电流大小分布是基于所述第一环状电源线的电流大小分布来确定的, 所述第一环状电源线的电流大小分布是基于所述第一环状电源线的仿真结果，所述第一环状电源线的仿真结果是采用动态电子迁移分析方法并且基于所述第一环状电源线的几何参数来确定流经所述第一环状电源线的电流的变化，所述第一环状电源线的几何参数至少包括所述第一环状电源线的线路宽度。

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