中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙蕊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120853636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511343781.9，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法是由孙蕊;黎大兵;孙晓娟;贾玉萍;刘明睿;吕顺鹏;蒋科;梁岷川;王炳翔设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及铁电薄膜多态存储器技术领域，尤其涉及一种基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法。包括自下而上依次层叠的：衬底、图案化导电底电极、多态存储层及顶电极；多态存储层为金属离子掺杂准二维钙钛矿铁电薄膜，在外加电场的控制下表现多种发光强度，用于代表多种信息记录状态。金属离子掺杂准二维钙钛矿铁电薄膜中二维钙钛矿的材料包括CHA2CsPb2Br7、BA2CsPb2Br7或BA2CuCl4，金属离子包括但不限于Mn、Er、Tm中的任意一种。优点在于：存储器集成化水平高、可控性强；在紫外光激发下，施加不同电压可以表现出不同发光强度，实现多态光信息存储。
本发明授权基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准二维钙钛矿铁电薄膜的多态存储器，其特征在于：包括自下而上依次层叠的衬底、图案化导电底电极、多态存储层及顶电极； 多态存储层为金属离子掺杂准二维钙钛矿铁电薄膜；所述金属离子掺杂准二维钙钛矿铁电薄膜中二维钙钛矿的材料包括CHA2CsPb2Br7、BA2CsPb2Br7或BA2CuCl4，金属离子包括Mn、Er、Tm中的任意一种； 所述多态存储层的厚度为30~50nm；多态存储层在外加电场的控制下表现多种发光强度，用于代表多种信息记录状态。
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