浙江大学盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种超结MOSFET结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511341155.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种超结MOSFET结构及其制造方法是由盛况;王珩宇;程浩远;王晗;张弛;王昊宇设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结MOSFET结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种超结MOSFET结构及其制造方法，属于功率器件技术领域，其中，超结MOSFET结构包括：衬底；超结柱区，所述超结柱区包括第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，所述第一柱区为棱柱形，所述第二柱区围绕所述第一柱区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述第二柱区上，所述栅极结构为条形；阱区，所述阱区设置在所述第一柱区上，所述阱区为条状；源区，所述源区设置在所述阱区上。本申请通过在棱柱型的超结柱区上设置条形的栅极结构，以解决常规六角超结MOSFET结构存在的栅极互联问题。
本发明授权一种超结MOSFET结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结MOSFET结构，其特征在于，包括： 衬底； 超结柱区，所述超结柱区包括第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，所述第一柱区为棱柱形，所述第二柱区围绕所述第一柱区； 栅极结构，所述栅极结构设置在所述第二柱区上； 阱区，所述阱区设置在所述第一柱区上； 源区，所述源区设置在所述阱区上； 缓冲区，所述缓冲区为第二导电类型，设置在所述第二柱区与栅极结构之间； 注入区，所述注入区为第二导电类型，贯穿源区与阱区，且与第二柱区接触； 其中，所述缓冲区、栅极结构、阱区和源区皆为条形； 所述缓冲区包括： 第一缓冲结构，所述第一缓冲结构为条形，与栅极结构接触，用于保护栅氧； 第二缓冲结构，所述第二缓冲结构的宽度小于所述第一缓冲结构的宽度，所述第二缓冲结构分别与第一缓冲结构和第二柱区接触。
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