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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120866927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511383464.X，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置是由王国宾;张泽盛;李亦然设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置，属于碳化硅单晶生产技术领域。所述方法采用的装置包括籽晶托和籽晶，籽晶托的一面设有多组沿籽晶托径向分布的温控组件，籽晶固定于籽晶托设有温控组件的一面；所述方法为：将生长原料加热熔融，得到高温熔体，在温控组件的作用下通过液相法进行晶体的温控生长，得到立方碳化硅单晶；所述晶体的温控生长依次包括籽晶原位反溶、抑制界面处多点形核、加快中心形核岛的径向生长、长时间快速稳定生长和晶体原位精细化退火五个阶段。本发明可以从源头上有效抑制立方碳化硅单晶生长过程中DPB缺陷的产生，并提高了晶体质量和生长速率，可以通过液相法生长出大尺寸的高质量立方碳化硅晶体。

本发明授权一种生长立方碳化硅单晶的方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种生长立方碳化硅单晶的方法，采用生长立方碳化硅单晶的装置进行，其特征在于，所述装置包括籽晶托和籽晶，所述籽晶托的一面设有多组沿籽晶托径向分布的温控组件，所述籽晶固定于所述籽晶托设有所述温控组件的一面； 所述方法包括：将生长原料加热熔融，得到高温熔体；在温控组件的作用下进行晶体的温控生长，得到立方碳化硅单晶； 所述温控生长包括五个阶段： 阶段一：使籽晶的温度高于结晶温度5~30℃，然后将籽晶下降至与高温熔体相接触并保持5~30min； 阶段二：使籽晶中心区域的温度低于结晶温度2~10℃，籽晶边缘区域的温度高于结晶温度2~5℃； 阶段三：保持籽晶中心区域的温度不变，逐渐降低籽晶边缘区域的温度至结晶温度以下并且低于籽晶中心区域的温度； 阶段四：降低籽晶温度，并使籽晶中心区域的温度低于籽晶边缘区域的温度； 阶段五：将晶体从高温熔体中拉出，并提升籽晶的温度，随后对晶体进行降温，在降温过程中保持所述籽晶的中心区域的温度低于边缘区域的温度。

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