合肥晶合集成电路股份有限公司李猛猛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511375883.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构是由李猛猛设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构，属于半导体领域，首先在半导体衬底的有源区刻蚀第一凹槽，之后在第一凹槽内填充压电材料，形成压电材料层；在压电材料层中刻蚀第二凹槽；在第二凹槽内外延与该有源区的阱区类型相同的半导体材料，形成补偿半导体层；在补偿半导体层上制备栅极氧化层；在栅极氧化层上制备栅极。通过上述方法制备的半导体结构，使得压电材料插入到沟道区两端，意想不到是：本发明无需额外施加电压，利用漏极本身存在的高压电场即可通过压电材料的逆压电效应改善沟道区载流子迁移率；并且压电材料还具有绝缘隔离作用，进一步提高栅极与漏极之间绝缘性，减少了漏极处载流子热效应。
本发明授权改善沟道载流子迁移率的方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种改善沟道载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底，半导体衬底上具有若干通过隔离结构隔离出的有源区； 在有源区表面刻蚀第一凹槽； 在第一凹槽内填充压电材料，形成压电材料层； 在压电材料层中刻蚀第二凹槽； 在第二凹槽内外延与该有源区的阱区类型相同的半导体材料，形成补偿半导体层，所述第二凹槽将压电材料层刻穿，使得补偿半导体层与有源区接触； 在补偿半导体层上制备栅极氧化层； 在栅极氧化层上制备栅极。
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