天津工业大学吴世喆获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403113.0，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法是由吴世喆;苟金龙;邵迎新;侯高猛;张德林;徐泽东;姜勇设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法，该器件包括从下至上依次设置的衬底、自旋轨道流产生层、铁磁功能层、SiO2层、电极片和调控层；自旋轨道流产生层的材料为二维过渡金属硫族化合物材料TaIrTe4，铁磁功能层的材料为二维铁磁材料Fe3+xGaTe2，x=0‑2，调控层的材料为二维铁电材料CuVP2S6；在调控层的左右两端施加电场。通过外加电场调控铁电材料CuVP2S6来改变铁磁功能层的垂直磁晶各向异性，降低了对该器件大电流的写入过程，从而起到降低功耗并提升热稳定性的作用，提高其耐久性。
本发明授权低功耗写入高热稳定性因子的存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗写入高热稳定性因子的存储器件，其特征在于：包括从下至上依次设置的衬底、自旋轨道流产生层、铁磁功能层、SiO2层、电极片和调控层；自旋轨道流产生层的材料为二维过渡金属硫族化合物材料TaIrTe4，铁磁功能层的材料为二维铁磁材料Fe3+xGaTe2，x=0-2，调控层的材料为二维铁电材料CuVP2S6，电极片呈条状且设有若干个，多个电极片呈辐射状分布在SiO2层上表面；在调控层的左右两端施加电场，场强为0.1-10kVcm。
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