四川大学施奇武获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种高介电、低损耗毫米波复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120944249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511478275.0，技术领域涉及：C08L23/12；该发明授权一种高介电、低损耗毫米波复合材料及其制备方法和应用是由施奇武;唐嘉琦;高成喆;田舒鹏;冷晋;邓华设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高介电、低损耗毫米波复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及复合材料技术领域，提供了一种高介电、低损耗毫米波复合材料及其制备方法和应用。该复合材料包括聚合物基体以及分散于聚合物基体中的功能化填料；功能化填料包括由无机填料形成的芯层以及依次包覆于无机填料表面的N层壳层，2≤N≤4；N层壳层均为介孔二氧化硅层；N层壳层的介孔二氧化硅的孔隙率由芯层向外依次增加，且最内层壳层的介孔二氧化硅的孔隙率≥5%，最外层壳层的介孔二氧化硅的孔隙率≤40%；N层壳层的介孔二氧化硅的孔径均为10nm~30nm。本发明的复合材料能够同时满足高介电常数和低介电损耗要求，能够满足当前毫米波通信材料的需求。
本发明授权一种高介电、低损耗毫米波复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高介电、低损耗毫米波复合材料，其特征在于，包括聚合物基体以及分散于所述聚合物基体中的功能化填料；所述功能化填料和所述聚合物基体的体积比满足：2:3~1.2:1；所述聚合物基体选自聚丙烯、聚乙烯或聚四氟乙烯； 所述功能化填料包括由无机填料形成的芯层以及依次包覆于所述无机填料表面的N层壳层，2≤N≤4；所述无机填料选自钛酸钡、钛酸锶、二氧化钛中的一种或多种；所述无机填料的粒径为8~12μm； N层所述壳层均为介孔二氧化硅层；N层所述壳层的介孔二氧化硅的孔隙率由芯层向外依次增加，且最内层所述壳层的介孔二氧化硅的孔隙率≥5%，最外层所述壳层的介孔二氧化硅的孔隙率≤40%； N层所述壳层的所述介孔二氧化硅的孔径均为10nm~30nm；N层所述壳层的厚度均满足0.2~0.5μm。
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