成都工业学院李晓钰获国家专利权
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龙图腾网获悉成都工业学院申请的专利一种高灵敏快恢复氨气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120971517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511502491.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种高灵敏快恢复氨气传感器及其制备方法是由李晓钰;于祥;李传学;蔡方凯;邱吉刚;陈欣鹏;赵璇;何宗苗;陈帅设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高灵敏快恢复氨气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高灵敏快恢复氨气传感器及其制备方法，涉及微量检测领域，传感器包括硅衬底和及其上方的硅微桥结构，所述硅微桥结构包括硅薄膜、惠斯通全桥压阻电路和氮化硅钝化层，所述惠斯通全桥压阻电路设置在所述硅薄膜内，所述氮化硅钝化层设置在所述硅薄膜的上表面；所述硅微桥结构的上端设置有氨气敏感膜；其中，所述氨气敏感膜设置为能够与待测环境中的氨气分子发生相互作用后产生形变，致使惠斯通全桥压阻电路的输出电压发生变化。本发明利用敏感膜的膨胀特性，主要为氨气分子的物理吸附过程，可工作在室温环境，同时利用了硅微桥的薄膜形变力学特性，有效提高氨气传感器的恢复速度。
本发明授权一种高灵敏快恢复氨气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高灵敏快恢复氨气传感器，其特征在于，包括硅衬底和其上方的硅微桥结构，所述硅微桥结构包括硅薄膜、惠斯通全桥压阻电路和氮化硅钝化层，所述惠斯通全桥压阻电路设置在所述硅薄膜内，所述氮化硅钝化层设置在所述硅薄膜的上表面；所述硅微桥结构的上端设置有氨气敏感膜； 其中，所述氨气敏感膜设置为能够与待测环境中的氨气分子发生相互作用后产生形变，致使惠斯通全桥压阻电路的输出电压发生变化，所述氨气敏感膜为多层约束结构； 所述氨气敏感膜包括多孔氢键有机框架薄膜和全氟磺酸薄膜，所述多孔氢键有机框架薄膜设置在所述氮化硅钝化层的上方，所述全氟磺酸薄膜设置在所述多孔氢键有机框架薄膜的上方； 所述多孔氢键有机框架薄膜在竖直方向的投影落入所述全氟磺酸薄膜内，且所述全氟磺酸薄膜的表面积大于所述多孔氢键有机框架薄膜。
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