王晓靁获国家专利权
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龙图腾网获悉王晓靁申请的专利一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223713315U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520150834.4，技术领域涉及：H01S5/183；该实用新型一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构是由王晓靁;施能泰;宋高梅设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构，在硅基板上形成底部介电质DBR层；在底部介电质DBR层上形成包层包覆波导；在包层上形成邻接的范德华外延层和介电质侧向外延掩膜层，范德华外延层为III‑V族化合物或III族氮化物；2D材料层位于包层与范德华外延层之间；以介电质DBR作为侧向外延掩膜，侧向外延层结合n型外延层层覆盖在范德华外延层和介电质侧向外延掩膜层上；有源层形成在n型外延层；p型外延层形成在有源层上；顶部DBR层形成在p型外延层上；n电极和p电极分别安装在n型外延层和p型外延层上。此结构可以优化激光器组件以及与光波导之间光耦合的整体效率，从而有效提升光波导耦合效率。
本实用新型一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种具有2D材料辅助制作垂直腔面发射激光器的硅光子集成电路结构，其特征在于：包括硅基板、底部介电质DBR层、包层、波导、2D材料层、范德华外延层、介电质侧向外延掩膜层、n型外延层、有源层、p型外延层和顶部DBR层；在硅基板上形成底部介电质DBR层；在底部介电质DBR层上形成包层和波导，波导由包层所包覆；在包层的上表面形成邻接的范德华外延层和介电质侧向外延掩膜层，范德华外延层为III-V族化合物或III族氮化物；2D材料层位于包层的上表面与范德华外延层之间；以介电质DBR作为侧向外延掩膜，侧向外延层结合n型外延层或p型外延层覆盖在范德华外延层和介电质侧向外延掩膜层上；有源层形成在n型外延层或p型外延层上；p型外延层或n型外延层形成在有源层上；顶部DBR层形成在p型外延层或n型外延层上；n电极和p电极分别安装在n型外延层和p型外延层上。
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