半导体元件工业有限责任公司刘勇获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利半导体封装件以及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011210389.4，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体封装件以及相关方法是由刘勇;林育聖;陈良彪设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件以及相关方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装件以及相关方法。实施例公开了一种用于形成半导体封装件的方法，该方法包括提供与第一金属层耦接的第一绝缘体层。凹槽形成于该第一金属层中，并且半导体管芯机械地耦接在其中。该管芯与第二金属层机械地耦接，并且该第二金属层与第二绝缘体层耦接。该管芯和该层被至少部分地密封以形成该半导体封装件。该第一金属层和或该第二金属层可为绝缘体‑金属衬底、金属‑绝缘体‑金属MIM衬底，或者可由引线框架形成。在实施方式中，该封装件不包括该管芯与该第一金属层之间的间隔件，并且不包括该管芯与该第二金属层之间的间隔件。在实施方式中，该第一绝缘体层和该第二绝缘体层通过密封剂暴露，或者与通过该密封剂暴露的金属层机械地耦接。
本发明授权半导体封装件以及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括： 提供与第一金属层的第一表面耦接的第一绝缘体层； 在所述第一金属层中形成凹槽； 将半导体管芯的第一表面至少部分地机械地耦接在所述凹槽内，所述半导体管芯的周边完全位于所述凹槽的周边内； 沉积光致抗蚀剂层，使得所述光致抗蚀剂层渗入到所述半导体管芯与所述凹槽的侧壁之间的区域中，并且还覆盖所述第一金属层的第二表面并且部分覆盖所述半导体管芯的第二表面，其中第一金属层的第一表面和第一金属层的第二表面是相反的表面，并且半导体管芯的第一表面和半导体管芯的第二表面是相反的表面； 将所述半导体管芯与第二金属层机械地耦接，所述第二金属层与第二绝缘体层耦接；以及 将所述第一绝缘体层、所述第一金属层、所述半导体管芯、所述第二绝缘体层和所述第二金属层至少部分地密封在密封剂中以形成半导体封装件； 其中所述第一绝缘体层和所述第二绝缘体层通过所述密封剂暴露。
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