三菱电机株式会社山本贵章获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体制造装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210293322.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法是由山本贵章;野元拓也设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：目的在于得到能够对晶片的缺陷进行检测的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体制造装置具有：工作台，其在上表面具有晶片的搭载区域；多个吸引配管，它们从所述搭载区域将所述工作台贯穿而延伸至所述工作台的背面侧；真空泵，其与所述多个吸引配管连接，经由所述多个吸引配管将所述晶片吸附于所述搭载区域；罩，其设置于所述工作台的上表面，将所述晶片覆盖；气体供给线，其对由所述工作台的上表面和所述罩包围的空间进行加压；以及压力传感器，其对所述多个吸引配管内的压力进行检测。
本发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造装置，其特征在于，具有： 工作台，其在上表面具有晶片的搭载区域； 多个吸引配管，它们从所述搭载区域将所述工作台贯穿而延伸至所述工作台的背面侧； 真空泵，其与所述多个吸引配管连接，经由所述多个吸引配管将所述晶片吸附于所述搭载区域； 罩，其设置于所述工作台的上表面，将所述晶片覆盖； 气体供给线，其对由所述工作台的上表面和所述罩包围的空间进行加压； 压力传感器，其对所述多个吸引配管各自内的压力进行检测；以及 检测装置，其根据由所述压力传感器测定出的压力，对所述晶片中的由所述多个吸引配管各自吸附的区域有无缺陷进行检测， 如果对所述晶片进行吸附，则在存在所述缺陷的吸附区域中，从所述气体供给线供给的气体经由所述缺陷泄露到对应的所述吸引配管，从而得到与没有所述缺陷的吸附区域不同的压力，所述检测装置通过所述压力传感器对压力变动进行检测，对所述缺陷进行检测。
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