常州捷佳创精密机械有限公司左国军获国家专利权
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龙图腾网获悉常州捷佳创精密机械有限公司申请的专利异质结太阳能电池片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211309186.X，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权异质结太阳能电池片及其制备方法是由左国军;舒欣设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结太阳能电池片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法，其中，异质结太阳能电池片包括：单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层；N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层，设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面；P型微晶硅掺杂层，位于所述单晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面；透光导电层，分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面；电极，设置在所述透光导电层的表面上。其中，P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构，减少硼原子对Si‑H键的破坏，提高微晶硅的晶化率，从而提高了电池转化效率。
本发明授权异质结太阳能电池片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池片，其特征在于，包括： 单晶硅衬底； 在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层； N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层，设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面； P型微晶硅掺杂层，设置在所述单晶硅衬底背面的所述本征非晶硅薄膜层底面； 透光导电层，分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面，和所述P型微晶硅掺杂层的底面； 电极，设置在所述透光导电层的表面上； 所述P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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