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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110926271.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法是由张新;赵龙杰设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法，碳化硅结势垒肖特基二极管包括：N型碳化硅衬底、N型碳化硅漂移区、N型碳化硅缓冲层、P型阱区、阴极以及阳极；N型碳化硅缓冲层位于N型碳化硅衬底与N型碳化硅漂移区之间，N型碳化硅缓冲层的N型离子掺杂浓度大于N型碳化硅漂移区的N型离子掺杂浓度，且小于N型碳化硅衬底的N型离子掺杂浓度；P型阱区位于N型碳化硅漂移区内；阴极位于N型碳化硅衬底的下方，阴极与N型碳化硅衬底之间为欧姆接触；阳极位于P型阱区与N型碳化硅漂移区的上方，阳极与P型阱区之间为欧姆接触，阳极与N型碳化硅漂移区之间形成肖特基势垒。根据本发明的实施例，可降低二极管器件的正向导通压降。

本发明授权碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括： N型碳化硅衬底； N型碳化硅漂移区，位于所述N型碳化硅衬底的上方； N型碳化硅缓冲层，位于所述N型碳化硅衬底与所述N型碳化硅漂移区之间，所述N型碳化硅缓冲层的N型离子掺杂浓度大于所述N型碳化硅漂移区的N型离子掺杂浓度，且小于所述N型碳化硅衬底的N型离子掺杂浓度； P型阱区，位于所述N型碳化硅漂移区内； 阴极，位于所述N型碳化硅衬底的下方；所述阴极与所述N型碳化硅衬底之间为欧姆接触； 阳极，位于所述P型阱区与所述N型碳化硅漂移区的上方；所述阳极与所述P型阱区之间为欧姆接触，所述阳极与所述N型碳化硅漂移区之间形成肖特基势垒； 还包括：N型阱区，位于所述N型碳化硅漂移区内，且与所述P型阱区邻接； 在表面至内部方向上，所述N型阱区依次包括第一N型阱区，第二N型阱区以及第三N型阱区，所述P型阱区依次包括第一P型阱区，第二P型阱区以及第三P型阱区；所述第一N型阱区与所述第一P型阱区邻接，所述第二N型阱区与所述第二P型阱区邻接，所述第三N型阱区与所述第三P型阱区邻接；所述第二N型阱区的N型离子掺杂浓度分别大于所述第一N型阱区与所述第三N型阱区的N型离子掺杂浓度，所述第二P型阱区的P型离子掺杂浓度分别大于所述第一P型阱区与所述第三P型阱区的P型离子掺杂浓度，或所述第一N型阱区的N型离子掺杂浓度分别小于所述第二N型阱区与所述第三N型阱区的N型离子掺杂浓度，所述第一P型阱区的P型离子掺杂浓度分别小于所述第二P型阱区与所述第三P型阱区的P型离子掺杂浓度。

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