华为技术有限公司;大连理工大学王译获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司;大连理工大学申请的专利自旋波器件及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111271197.9，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权自旋波器件及存储器是由王译;李文波;冯莹;罗时江;赵俊峰;闫鑫设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋波器件及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种自旋波器件及存储器，该自旋波器件包括：强自旋轨道耦合材料层，第一磁性层，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述第一磁性层之间的自旋波通道层；设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述自旋波通道层之间的至少一个插层；其中，所述强自旋轨道耦合材料层受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。通过在器件中设置插层，提高磁矩进动或者翻转的效率，降低器件功耗，提高器件的热稳定性。
本发明授权自旋波器件及存储器在权利要求书中公布了：1.一种自旋波器件，其特征在于，所述自旋波器件包括： 强自旋轨道耦合材料层111，第一磁性层106，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层111和所述第一磁性层106之间的自旋波通道层104； 设置于所述强自旋轨道耦合材料层111和所述自旋波通道层104之间，和或，设置于所述自旋波通道层104和所述第一磁性层106之间的至少一个插层；当所述至少一个插层包括设置于所述强自旋轨道耦合材料层111和所述自旋波通道层104之间，且紧邻所述自旋波通道层104的第一插层101，以及设置于所述自旋波通道层104和所述第一磁性层106之间，且紧邻所述自旋波通道层104的第二插层105时，所述自旋波通道层104通过所述第一插层101和所述第二插层105被施加第一电压； 其中，所述强自旋轨道耦合材料层111受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层106受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司;大连理工大学，其通讯地址为：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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