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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117403209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311347635.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜是由孟冬冬;陈旭;葛坤鹏;陈政委设计研发完成，并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜在说明书摘要公布了：本申请涉及氧化镓外延膜加工技术领域，具体公开了一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜。MOCVD设备包括设备机台、反应室，设备机台上还设置有与反应室连通的载氧气路、主管路，主管路上连通有镓源气路、掺杂源气路，掺杂源气路连通有无机硅源控制系统，无机硅源控制系统包括与掺杂源气路连通的外接管路，外接管路上连通有无机硅源气路、稀释气路，该MOCVD设备，具备稳定性好、操控简单、稀释无机硅烷流量稳定、稀释无机硅烷硅含量可调的优点，且获得的氧化镓外延膜，表面光滑、致密、结晶质量高，掺杂均匀，掺杂量容易控制，载流子浓度稳定，载流子浓度可调，重复性好，可用于批量的商业化制备，具有经济价值。

本发明授权一种MOCVD设备及使用方法和氧化镓外延膜在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD设备，包括设备机台1，所述设备机台1内设置有反应室2，所述设备机台1上还设置有与反应室2连通的载氧气路3、主管路4，所述载氧气路3上设置有载氧流量计，所述主管路4上连通有镓源气路5、掺杂源气路6，所述镓源气路5上设置有镓源流量计，所述掺杂源气路6上设置有掺杂源流量计，所述载氧气路3通入载氧气体，所述镓源气路5通入镓源气体，其特征在于：所述掺杂源气路6连通有无机硅源控制系统，所述无机硅源控制系统包括与掺杂源气路6连通的外接管路71，所述外接管路71上连通有无机硅源气路72、稀释气路73，所述无机硅源气路72上设置有无机硅源流量计，所述稀释气路73上设置有稀释流量计，所述无机硅源气路72通入无机硅源气体，所述稀释气路73通入稀释气体； 所述无机硅源流量计通入的流量为1-100sccm，所述稀释流量计通入的流量为100-1000sccm；所述无机硅源气体为乙硅烷和氩气的混合气，在常温常压下，所述无机硅源中乙硅烷的含量为90-110ppm，所述稀释气体为氩气；所述镓源气体为有机镓和氩气的混合气，在常温常压下，所述镓源气体中有机镓的含量为400-9000ppm，所述载氧气体为氧气； 所述反应室2中硅镓的摩尔比为6.97×10-10-8.398×10-6，所述反应室2中氧镓的摩尔比为1000-2500。

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