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龙图腾网获悉鹏钛存储技术(南京)有限公司申请的专利基于CXL的DDR4/5内存扩展控制器错误检查纠正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118819944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411303012.1，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权基于CXL的DDR4/5内存扩展控制器错误检查纠正方法是由唐先芝;丁天洋设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CXL的DDR4/5内存扩展控制器错误检查纠正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于CXL的DDR45内存扩展控制器错误检查纠正方法，包括如下步骤：于CPU中配置CXL协议；CPU经过CXL从内存控制器读写内存64字节数据；根据每N个burst的前后半段分别产生N组8bitSide‑BandECC，依据错误结果进行检查纠正，相较于现有技术若是产生2个错误则即使已使用了ECC也无法更正的情况,本发明则有机会可以更正，解决了当每个burst出现2个或以上的错误时，现有MC错误检查和纠正方法无法保证准确纠错的问题。

本发明授权基于CXL的DDR4/5内存扩展控制器错误检查纠正方法在权利要求书中公布了：1.基于CXL的DDR45内存扩展控制器错误检查纠正方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：于CPU中配置CXL协议； S2：CPU经过CXL从内存控制器读写内存64字节数据，每次读写的数据量为64Bytes，即为8个64bitsburst； S3：根据原本的8个64bitsburst的前后半段分别产生重组的8个64bitsburst，重组的8个64bitsburst再分别产生8组8bitSide-BandECC，依据错误结果进行检查纠正； 其中，依据错误结果进行检查纠正时，当每个原本的64bitsburst出现2个或以上的错误时，则重组的8个64bitsburst所产生的8组8bitSide-BandECC完成准确纠错； 其中，DDR45DRAM的颗粒宽度包括4bits，8bits，16bits； 其中，每一原本的以及重组的burst即为64-bits； 其中，每一重组的64bitsburst产生1组8bitSide-BandECC，则8个重组的64bitsburst产生8组8bitSide-BandECC； 其中，每一重组的64bitsburst可根据原本的8个64bitsburst的前后半段分别产生以完成准确纠错的原本64bitsburst可能出现的2个错误。

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