湖南大学曾周晓松获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511512099.8，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法是由曾周晓松;王笑;王雨凡;申仕雨设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法。该光电探测器由下至上依次为基底材料、光伏层和电极层；所述光伏层由下至上依次为Si层、SiO2层，Au层、氧化铝层、MoS2层、PtSe2层、MoS2层、和光栅层；所述PtSe2层Z字形晶向与光栅层的光栅方向平行。该探测器首先确定PtSe2的晶相结构，然后通过沉积法逐层沉积，保证了各层沉积角度准确的按照设定要求实施，转移过程均采用干法转移。该光栅集成垂直三明治结构探测器利用光热电子效应进行通讯波段光电探测，同时利用光栅结构引入偏振依赖的局域等离激元效应，在其协同作用下，不仅实现了通讯波段高偏振度的光电探测，并且还提升了探测器在通讯波段的探测性能，解决了偏振敏感光电探测器响应速度低的问题。
本发明授权一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高偏振度及快响应速度的光电探测器，其特征在于：所述光电探测器由下至上依次为基底材料、光伏层和电极层；所述光伏层由下至上依次为Si层、SiO2层，Au层、氧化铝层、MoS2层、PtSe2层、MoS2层、和光栅层；所述PtSe2层Z字形晶向与光栅层的光栅方向平行。
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