中南大学王一军获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223729632U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520074523.4，技术领域涉及：H02M1/088；该实用新型一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路是由王一军;李炎彦;邹勇军设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路，包括用于产生差分脉冲的边沿触发脉冲生成电路；还包括后级电路；后级电路与边沿触发脉冲生成电路的正脉冲输出端与负脉冲输出端对接；后级电路包括变压器T1、稳压管D1、第一开关管K1、第二开关管K2和第三开关管S1；该基于边沿触发的MOSFET驱动电路简单可靠，能极大的降低驱动电路的成本和体积。
本实用新型一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种基于边沿触发的MOSFET驱动电路，其特征在于，包括用于产生差分脉冲的边沿触发脉冲生成电路； 边沿触发脉冲生成电路：输入信号input经第一非门U1C接第一与非门U4B的第一输入端；第一非门U1C的输出端还接第一二极管D3的负极；第一二极管D3的正极经第一电容C2接地；第一电阻R5与第一二极管D3并联；第一二极管D3的正负极还通过第二非门U1D接第一与非门U4B的第二输入端； 第一与非门U4B的输出端经第三非门U1F接正脉冲输出端pwm-p； 输入信号input还接第二与非门U5C的第一端以及第二二极管D4的负极；第二二极管D4的正极经第四非门U2E接第二与非门U5C的第二端；第二二极管D4的正极经第二电容C3接地；第二电阻R6与第二二极管D4并联；第二与非门U5C的输出端经第五非门U6A接负脉冲输出端pwm-n。
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