三星电子株式会社朴成珉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911101635.X，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权形成半导体器件的方法是由朴成珉;张世明;金奉秀;朴济民设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体器件的方法包括：在下结构上形成第一牺牲图案；在第一牺牲图案之间形成具有“U”形的第一剩余掩模层，以使第一剩余掩模层与第一牺牲图案接触；通过图案化第一剩余掩模层形成第一剩余掩模图案，第一剩余掩模图案中的每一个包括平行于下结构的上表面的水平部分和垂直于下结构的上表面的竖直部分；形成与第一剩余掩模图案的竖直部分间隔开的第二掩模图案；去除在形成第二掩模图案之后剩余的第一牺牲图案；以及通过蚀刻第一剩余掩模图案的水平部分形成第一掩模图案。
本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤： 在下结构上形成第一牺牲图案； 形成在所述第一牺牲图案的侧壁上延伸并在所述第一牺牲图案之间延伸的第一剩余掩模层，以使所述第一剩余掩模层与所述第一牺牲图案接触； 通过图案化所述第一剩余掩模层来形成第一剩余掩模图案，所述第一剩余掩模图案包括各自的平行于所述下结构的上表面的水平部分和各自的垂直于所述下结构的上表面的竖直部分； 形成与所述第一剩余掩模图案的各自的竖直部分间隔开的第二掩模图案； 在形成所述第二掩模图案之后去除所述第一牺牲图案；以及 通过蚀刻所述第一剩余掩模图案的各自的水平部分来形成第一掩模图案，所述第一掩模图案中的每一个包括所述第一剩余掩模图案的竖直部分中的相应一个的一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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