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龙图腾网获悉赛米控电子股份有限公司申请的专利用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010423273.2，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块是由斯特凡·赫克斯霍尔德;斯特凡·厄尔林;迈克尔·尤努策尔;马库斯·迪泽尔设计研发完成，并于2020-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块，所述方法具有以下处理步骤：a提供功率半导体布置，所述功率半导体布置具有基底和功率半导体部件，b提供压花膜复合物，其中所述压花膜复合物被压花，使得在所述膜复合物的第一膜连接区域的法线方向上，所述第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域被布置在高于所述第一高度水平的第二高度水平处，c将导电粘合剂布置在所述压花膜复合物的所述第一膜连接区域和第二膜连接区域上，并且或者布置在第一导体轨道和第二功率端子上，d将所述压花膜复合物布置在所述基底上，使得粘合剂的第一部分与所述第一膜连接区域和第一导体轨道机械接触，并且粘合剂的第二部分与所述第二膜连接区域和第二功率端子机械接触，e使粘合剂硬化。

本发明授权用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.用于制造功率半导体模块1的方法，包括以下处理步骤： a提供功率半导体组件2，所述功率半导体组件2具有：基底3，所述基底具有不导电绝缘层4，在所述不导电绝缘层的第一主侧4a上布置有第一导体轨道5a和第二导体轨道5b；和功率半导体部件7，所述功率半导体部件被布置在所述基底3的所述第二导体轨道5b上，并且在所述功率半导体部件的面向所述第二导体轨道5b的第一主侧8a上具有第一功率端子9a，并且在所述功率半导体部件的背对所述第二导体轨道5b的第二主侧8b上具有第二功率端子9b，其中所述第一功率端子9a以导电方式连接到所述第二导体轨道5b， b提供压花膜复合物10，所述压花膜复合物10具有不导电的第一膜11和被布置在所述第一膜上的导电的结构化的第二膜12，其中所述第二膜12被结构化，使得所述第二膜具有第一膜连接区域12a和与所述第一膜连接区域12a分开布置的第二膜连接区域12b，其中所述压花膜复合物10被压花，使得在所述第一膜连接区域12a的法线方向N上，所述第一膜连接区域12a被布置在第一高度水平H1处，并且所述第二膜连接区域12b被布置在高于所述第一高度水平H1的第二高度水平H2处， c将导电粘合剂15布置在所述压花膜复合物10的所述第一膜连接区域12a和所述第二膜连接区域12b上，并且或者布置在所述第一导体轨道5a和所述第二功率端子9b上， d将所述压花膜复合物10布置在所述基底2上，使得所述粘合剂15的第一部分15a与所述第一膜连接区域12a和所述第一导体轨道5a机械接触，并且所述粘合剂15的第二部分15b与所述第二膜连接区域12b和所述第二功率端子9b机械接触， e使所述粘合剂15硬化。

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