三星电子株式会社宋昊柱获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010434497.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法是由宋昊柱;金硕炫;金永埈;朴晋亨;李蕙兰;金奉秀;金成禹设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成在第一水平方向上延伸的位线结构以及覆盖每个位线结构的相反侧壁的绝缘间隔物结构；形成初始掩埋接触材料层和模制层以分别填充在一对绝缘间隔物结构之间的空间的下部和上部；将模制层和初始掩埋接触材料层图案化为在第一水平方向上彼此间隔开的模制图案和在第一水平方向上彼此间隔开的掩埋接触；在彼此分隔的模制图案之间以及在彼此分隔的掩埋接触之间形成绝缘围栏；去除模制图案以暴露掩埋接触；以及在暴露的掩埋接触上形成落着焊盘，每个落着焊盘连接到暴露的掩埋接触中的对应一个。
本发明授权半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括： 形成在衬底上在第一水平方向上彼此平行地延伸的多个位线结构以及覆盖所述多个位线结构中的每个的相反侧壁的多个绝缘间隔物结构； 形成初始掩埋接触材料层和模制层以分别填充所述多个绝缘间隔物结构中的一对绝缘间隔物结构之间的空间的下部以及所述空间的上部，所述一对绝缘间隔物结构隔着所述空间彼此面对； 将所述模制层和所述初始掩埋接触材料层分别图案化为在所述第一水平方向上彼此间隔开的多个模制图案和在所述第一水平方向上彼此间隔开的多个掩埋接触； 在彼此分隔的所述多个模制图案之间以及在彼此分隔的所述多个掩埋接触之间形成多个绝缘围栏； 去除所述多个模制图案以暴露所述多个掩埋接触；以及 在暴露的所述多个掩埋接触上形成多个落着焊盘，所述多个落着焊盘中的每个连接到暴露的所述多个掩埋接触中的对应一个。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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