三星电子株式会社沈在龙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010533632.X，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权三维半导体存储器件是由沈在龙;安钟善;韩智勋设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：半导体存储器件包括设置在外围电路结构上并且在第一方向上彼此间隔开的水平图案。存储器结构设置在水平图案上。存储器结构包括源结构和电极结构。划分结构设置在第一方向上相邻的水平图案之间，并且被配置为将相邻的存储器结构的源结构彼此分开。蚀刻停止图案在低于源结构的高度的高度处设置在水平图案之间。蚀刻停止图案连接到划分结构的下部。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 水平图案，设置在外围电路结构上并在第一方向上彼此间隔开； 设置在所述水平图案上的存储器结构，所述存储器结构包括源结构和电极结构； 在所述第一方向上设置在相邻的水平图案之间的划分结构，所述划分结构被配置为将相邻的存储器结构的所述源结构彼此分离；以及 蚀刻停止图案，设置在所述水平图案之间并且设置在比所述源结构的高度低的高度处，所述蚀刻停止图案连接到所述划分结构的下部， 其中，所述蚀刻停止图案包括在所述第一方向上延伸的第一子图案和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二子图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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