吾拾微电子(苏州)有限公司沈达获国家专利权
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龙图腾网获悉吾拾微电子(苏州)有限公司申请的专利一种晶圆翘曲校正机构及校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951746B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110280610.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆翘曲校正机构及校正方法是由沈达;薛亚玲;蒋人杰设计研发完成，并于2021-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆翘曲校正机构及校正方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶圆翘曲校正机构及校正方法，包括下真空型腔板、下加热板、下吸盘、上多孔负压吸盘、上加热板、产品解键合容置区域、同心圆槽、连接槽、负压源连接孔，所述下真空型腔板的下表面装配有下加热板，所述下真空型腔板的上表面放置有下吸盘，所述上多孔负压吸盘的上表面装配有上加热板，所述上多孔负压吸盘布置在所述下吸盘的正上方位置并相互同心配合形成产品解键合容置区域。通过上述方式，本发明提供一种晶圆翘曲校正机构及校正方法，在上多孔负压吸盘上实施一次翘曲校正，在下吸盘上实施二次翘曲校正，在解键合作业的全程对晶圆实施防划伤保护，极大提高良品率，有效节约生产成本。
本发明授权一种晶圆翘曲校正机构及校正方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆翘曲校正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，准备翘曲且键合在载片上的晶圆原料；步骤二，在上多孔负压吸盘上建立高温负压的一次校正平面；步骤三，由一次校正平面无痕吸附载片，以一次校正平面为形变基础，使载片受高温负压作用发生软化直至展平，形成中间原料；步骤四，在下吸盘上建立高温负压的二次校正平面，所述中间原料与所述二次校正平面完全平行；步骤五，由二次校正平面无痕吸附中间原料上的晶圆，执行常规解键合，获得解键合晶圆；步骤六，将二次校正平面作用在解键合晶圆上的负压沿解键合晶圆的径向由外向内递进解除；步骤七，翘曲校正完成，解键合晶圆出料。
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