日月光半导体制造股份有限公司庄劭萱获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110629020.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由庄劭萱;张皇贤设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层；隔离层，设置于重布线层上，隔离层的吸水性小于重布线层；填充层，设置于隔离层上；两个功能芯片，设置于填充层上，经过填充层和隔离层，与重布线层电连接，两个功能芯片之间具有空隙腔体，空隙腔体穿过填充层并抵接隔离层，使得热循环制程中隔离层能够阻挡重布线层的水气向填充层扩散，避免因水气积累在填充层产生的应力，并且，由于两个功能芯片具有穿过填充层的空隙腔体，可避免在热循环制程中两个功能芯片之间与填充层的挤压造成的填充层断裂。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 重布线层，所述重布线层的上表面设置有凸块下金属； 隔离层，设置于所述重布线层上，所述隔离层的吸水性小于所述重布线层，所述隔离层对应所述凸块下金属上表面设置有开口，所述隔离层的开口暴露所述凸块下金属，所述隔离层在开口边缘处的厚度高于所述凸块下金属从所述重布线层的上表面所在平面暴露部分的厚度； 填充层，设置于所述隔离层上； 两个功能芯片，设置于所述填充层上，与所述重布线层电连接，所述两个功能芯片之间具有空隙腔体，所述空隙腔体穿过所述填充层并抵接所述隔离层，所述功能芯片下方设置有金属凸块。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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