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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于半导体装置的数字线及主体接触件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110585269.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权用于半导体装置的数字线及主体接触件是由李时雨设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体装置的数字线及主体接触件在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于半导体装置的数字线及主体接触件。提供用于具有水平定向的存取装置、垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的系统、方法及设备，其中所述水平定向的存取装置具有通过沟道区分离的第一源极漏极区及第二源极漏极区、及与所述沟道区对置的栅极，所述垂直定向的存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极漏极区的水平定向的数字线。垂直主体接触件经形成与所述水平定向的存取装置中的一或多者的主体区直接电接触且通过电介质与所述第一源极漏极区及所述水平定向的数字线分离。

本发明授权用于半导体装置的数字线及主体接触件在权利要求书中公布了：1.一种用于形成具有水平定向的存取装置及垂直定向的存取线的垂直堆叠的存储器单元阵列的方法，其包括： 在重复迭代中垂直地沉积第一电介质材料430、530、630、730、半导体材料432、532、632、732、832、932、及第二电介质材料433、533、633、733、833的层以形成垂直堆叠，其中所述半导体材料432、532、632、732、832、932包含低掺杂半导体材料，在所述低掺杂半导体材料内形成通过沟道区横向分离的第一源极漏极区475、575、675、775、875、975及第二源极漏极区778、878、932； 使用第一蚀刻剂工艺形成垂直开口471以暴露所述垂直堆叠中的垂直侧壁； 选择性地蚀刻所述第二电介质材料433、533、633、733、833以通过将所述第二电介质材料433、533、633、733、833从所述垂直开口471向后移除第一距离476而形成第一水平开口473； 在所述低掺杂半导体材料432、532、632、732、832、932的顶表面中气相掺杂掺杂剂以形成所述第一源极漏极区475、575、675、775、875、975； 将导电材料477、577、677、777、877沉积到所述第一水平开口中的所述第一源极漏极区475、575、675、775、875、975上方的所述顶表面上； 选择性地蚀刻所述导电材料477、577、677、777、877、第一源极漏极区475、575、675、775、875、975及所述第一源极漏极区475、575、675、775、875、975下面的所述低掺杂半导体材料的第一部分以形成与所述垂直开口471具有水平向后的第二距离482的第二水平开口472； 在第二水平开口中沉积横向邻近所述导电材料477、577、677、777、877及所述第一源极漏极区475、575、675、775、875、975的第三电介质材料474、574、674、774、874；及 将高掺杂半导体材料沉积到所述垂直开口中以形成到所述低掺杂半导体材料的第二部分的导电主体接触件。

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